반도체 제조의 핵심: 8대 주요 공정 요약

반도체는 현대 전자기기의 핵심 부품으로, 그 제조 과정은 매우 복잡하고 정밀합니다. 반도체 제조에는 여러 단계의 공정이 포함되며, 여기서는 반도체의 8대 주요 공정을 간략하게 정리하겠습니다.

웨이퍼 공정 (Wafer Process)
웨이퍼는 반도체를 만드는 주재료로 사용됩니다.
웨이퍼 제조는 모래에서 추출된 실리콘을 성장시켜 잉곳(Ingot)을 만들고, 이를 다이아몬드 톱으로 절단하여 웨이퍼를 제작합니다.

산화 공정 (Oxidation Process)
웨이퍼 표면의 화학적 성질을 바꾸는 작업으로, 산화실리콘(SiO2) 생성이 주목적입니다.

포토(노광) 공정 (Photolithography Process)
마스크에 담긴 회로 패턴을 웨이퍼에 그리는 공정입니다.
빛을 사용하여 웨이퍼 위에 회로를 그립니다.

식각 공정 (Etching Process)
원하는 부분을 깎아내어 패턴을 형성하는 단계입니다.
습식과 건식 식각으로 나뉩니다.

박막(증착) 공정 (Deposition Process)
웨이퍼에 원하는 박막을 만드는 과정입니다.
박막 증착은 산화보다 얇게 씌워야 할 때나 Si가 존재하지 않는 물질을 사용할 때 진행됩니다.

배선 공정 (Wiring Process)
웨이퍼 위의 회로들 간에 전기가 통하도록 금속선을 이용하여 연결하는 공정입니다.

테스트 공정 (Test Process)
웨이퍼의 전기적 특성을 검사하여 각 칩의 품질 수준을 확인하는 과정입니다.

패키징 공정 (Packaging Process)
반도체 칩이 외부와 신호를 주고받을 수 있도록 하는 과정입니다.

이렇게 8단계의 주요 공정을 거쳐 반도체는 제조됩니다. 각 공정은 그 자체로도 매우 복잡하며, 최첨단 기술이 요구됩니다.

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